¿Cuál es el principio del tubo MOS y qué papel desempeña?

El principio del tubo MOS:

Utiliza VGS para controlar la cantidad de "cargas inducidas" para cambiar la condición del canal conductor formado por estas "cargas inducidas", y luego lograr el propósito de controlar la corriente de drenaje. Al fabricar tubos, aparece una gran cantidad de iones positivos en la capa aislante durante el proceso, por lo que se pueden inducir más cargas negativas en el otro lado de la interfaz. Estas cargas negativas conectan la región N de impurezas de alta permeabilidad para formar una. canal de zanja conductora, hay una ID de corriente de drenaje grande incluso cuando VGS = 0. Cuando el voltaje de la puerta cambia, la cantidad de carga inducida en el canal también cambia y el ancho del canal conductor también cambia en consecuencia. Por lo tanto, el ID de la corriente de drenaje cambia a medida que cambia el voltaje de la puerta.

Función:

1. Se puede utilizar en circuitos amplificadores. Dado que la impedancia de entrada del amplificador de válvulas MOS es muy alta, el condensador de acoplamiento puede tener una capacidad pequeña y no es necesario utilizar un condensador electrolítico.

2. La alta impedancia de entrada es muy adecuada para la transformación de impedancia. A menudo se utiliza para la transformación de impedancia en la etapa de entrada de amplificadores de múltiples etapas.

3. Se puede utilizar como resistencia variable.

4. Se puede utilizar fácilmente como fuente de corriente constante.

5. Se puede utilizar como interruptor electrónico.

Introducción:

mos tube es un tubo aislante de efecto de campo en circuitos integrados. Es un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico. O llamado metal-aislante-semiconductor. La fuente y el drenaje del tubo MOS se pueden intercambiar, y ambos son áreas tipo N formadas en la puerta trasera tipo P. En la mayoría de los casos, estas dos áreas son iguales, e incluso si se intercambian los dos extremos, no afectará el rendimiento del dispositivo. Estos dispositivos se consideran simétricos.

Características estructurales:

La estructura interna del tubo MOS se muestra en la siguiente figura cuando está encendido, solo una polaridad de los portadores (múltiples portadores) participa en la conducción; que es un transistor de tipo unipolar. El mecanismo conductor es el mismo que el de los tubos MOS de baja potencia, pero hay una gran diferencia en la estructura. Los tubos MOS de baja potencia son dispositivos conductores horizontales. La mayoría de los MOSFET de potencia utilizan estructuras conductoras verticales, también llamadas VMOSFET, que mejoran enormemente la calidad. Capacidad de resistencia de voltaje y corriente de los dispositivos MOSFET.

¿Transistor MOS de canal N?

Transistor MOS de canal P

La característica principal es la que se encuentra entre la puerta metálica y el canal Hay una capa aislante de dióxido de silicio entre ellos, por lo que tiene una alta resistencia de entrada. Cuando se enciende el tubo, se forma un canal conductor de tipo n en dos intervalos de difusión n de alta concentración. El transistor MOS de modo de mejora de canal n debe aplicar un voltaje de polarización directa en la puerta, y solo cuando el voltaje de la fuente de la puerta sea mayor que el voltaje umbral, habrá un transistor MOS de canal n con un canal conductor. Un transistor MOS en modo de agotamiento de canal n se refiere a un transistor MOS de canal n que tiene un canal conductor cuando no se aplica voltaje de puerta (el voltaje de fuente de puerta es cero).