¿Existe alguna diferencia entre los objetivos de pulverización catódica de metales de pureza ultraalta y los objetivos de pulverización catódica de metales de alta pureza para semiconductores?
Existe una clara diferencia en la pureza entre los objetivos de pulverización catódica de metales de pureza ultraalta para semiconductores y los objetivos de pulverización catódica de metales de alta pureza.
El objetivo de pulverización catódica de metal de pureza ultraalta se refiere a un material metálico con una pureza superior a 9N (99,9999999), es decir, una pureza superior a 99,9999999. La preparación de objetivos de pulverización catódica de metales de pureza ultraalta requiere el uso de procesos y equipos de preparación especiales para garantizar la alta pureza del material, proporcionando así películas metálicas de alta calidad al preparar dispositivos semiconductores y otros componentes electrónicos de alta precisión.
Por el contrario, la pureza de los objetivos de pulverización catódica de metales de alta pureza suele ser superior a 6N (99,9999), que es inferior a la pureza de los objetivos de pulverización catódica de metales de pureza ultraalta. Aunque la pureza de los objetivos de pulverización catódica de metales de alta pureza es mucho mayor que la de los metales industriales en general, al preparar componentes electrónicos de alta precisión, su contenido de impurezas y óxido puede afectar negativamente el rendimiento del componente.
Por lo tanto, también existen diferencias en las aplicaciones de objetivos de pulverización catódica de metales de pureza ultra alta y objetivos de pulverización catódica de metales de alta pureza para semiconductores. Los objetivos de pulverización catódica de metales de pureza ultraalta se utilizan principalmente para preparar componentes electrónicos y dispositivos semiconductores de alta precisión, mientras que los objetivos de pulverización catódica de metales de alta pureza son más adecuados para otras aplicaciones que requieren películas metálicas de mayor pureza.