¿Qué tipo de tubo se puede utilizar para reemplazar el tubo de efecto de campo MDP9N60?

Sustituye el transistor de efecto de campo MDP9N60 por el tubo modelo FNK8n60. Parámetros del transistor de efecto de campo FNK8n60: canal N, 8n60, 7,5 A, 600 V, RDS=1,2 ohmios.

Es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje. Tiene las ventajas de alta resistencia de entrada (107~1015Ω), bajo ruido, bajo consumo de energía, amplio rango dinámico, fácil integración, sin fenómeno de ruptura secundaria, amplia área de operación segura, etc. Se ha convertido en una poderosa herramienta para transistores bipolares y transistores de potencia.

Información ampliada:

Principio de funcionamiento:

El principio de funcionamiento del transistor de efecto de campo es "el ID que fluye a través del canal entre el drenaje y la fuente es utilizado para compuerta El voltaje de compuerta con polarización inversa formado por la unión pn entre el polo y el canal controla el ID". El ancho de la trayectoria del flujo ID, es decir, el área de la sección transversal del canal, está controlado por cambios en la polarización inversa de la unión pn, lo que resulta en cambios en la expansión de la capa de agotamiento.

La capa de transición que se extiende desde la compuerta hasta el drenaje bloquea parte del canal, provocando que ID se sature. Este estado se llama pellizco. La capa de transición bloquea parte del canal, pero la corriente no se corta.