¿Cuál es la diferencia entre CCD y CMOS?
Las diferencias entre CCD y CMOS son:
1. Diferencia de sensibilidad
Dado que cada píxel del sensor CMOS está compuesto por cuatro transistores y un diodo fotosensible. ((incluido el amplificador y el circuito de conversión A/D), el área fotosensible de cada píxel es mucho más pequeña que el área de superficie del píxel mismo. Por lo tanto, la sensibilidad del sensor CMOS es menor que la del sensor CCD cuando el tamaño de píxel es el mismo.
2. Diferencia de costo
Dado que los sensores CMOS adoptan el proceso CMOS, que es el más comúnmente utilizado en circuitos semiconductores generales, circuitos periféricos (como AGC, CDS, generador de sincronización o DSP, etc.) se pueden integrar fácilmente en el chip sensor, ahorrando así el coste de los chips periféricos.
Debido a que el CCD utiliza transferencia de carga para transmitir datos, mientras un píxel no pueda funcionar, no se transmitirá una fila completa de datos. Por lo tanto, controlar el rendimiento de los sensores CCD es mucho más difícil que el de los CMOS. Incluso los fabricantes experimentados tendrán dificultades para superar el nivel del 50% dentro de los seis meses posteriores al lanzamiento del producto. Por lo tanto, el costo de los sensores CCD será mayor que el de los sensores CMOS.
3. Diferencia de resolución
Cada píxel de un sensor CMOS es más complejo que un sensor CCD, y su tamaño de píxel es difícil de alcanzar el nivel de un sensor CCD. comparamos lo mismo Al comparar sensores CCD y CMOS, la resolución del sensor CCD suele ser mejor que la del sensor CMOS.
4. Diferencia de ruido
Dado que cada fotodiodo del sensor CMOS debe combinarse con un amplificador, y el amplificador es un circuito analógico, es difícil mantener los resultados obtenidos por Cada amplificador es consistente, por lo que en comparación con un sensor CCD con un solo amplificador colocado en el borde del chip, el ruido del sensor CMOS aumentará mucho, afectando la calidad de la imagen.
5. Diferencia en el consumo de energía
El método de adquisición de imágenes del sensor CMOS está activo. Sin embargo, la carga generada por el diodo fotosensible será amplificada y emitida directamente por el transistor. El sensor CCD es de adquisición pasiva y requiere que un voltaje externo mueva la carga en cada píxel, y el voltaje externo generalmente debe alcanzar 12 ~ 18 V.
Por lo tanto, además de la mayor dificultad en el diseño del circuito de administración de energía de los sensores CCD (que requieren un IC de alimentación externo), el alto voltaje de conducción también hace que el consumo de energía sea mucho mayor que el de los sensores CMOS.