¿Cuáles son las principales características técnicas y parámetros de los fototransistores?
1. Características espectrales
Debido a los diferentes materiales utilizados, los fototransistores se dividen en fototransistores falsos y fototransistores de silicio. Los fototransistores de silicio son los más utilizados. Las características espectrales de los fototransistores son las mismas que las de los fotodiodos.
2. Características voltaje-amperio
Las características voltaje-amperio de un fototransistor se refieren a la relación entre el voltaje en el fototransistor y la fotocorriente bajo una iluminación determinada.
3. Características fotoeléctricas
Las características fotoeléctricas del fototransistor reflejan la relación entre la fotocorriente IL y la iluminación cuando el voltaje externo es constante. La siguiente figura muestra la curva característica fotoeléctrica del fototransistor. La linealidad de la curva característica fotoeléctrica del fototransistor no es tan buena como la del fotodiodo y la fotocorriente aumenta lentamente con luz débil.
4. Características de la temperatura
La temperatura afecta la corriente oscura y la fotocorriente del fototransistor. Dado que la fotocorriente es mucho mayor que la corriente oscura, el efecto de la temperatura sobre la fotocorriente dentro de un cierto rango de temperatura es menor que el efecto sobre la corriente oscura. Las dos figuras siguientes muestran respectivamente la curva característica de temperatura del fototransistor y la relación entre la sensibilidad relativa del fototransistor y la temperatura.
5. ID de corriente oscura
En ausencia de luz, cuando el voltaje entre el colector y el emisor es un valor específico, la corriente de fuga inversa que fluye a través del colector se llama Oscura. corriente del fototransistor.
6. Fotocorriente IL
Bajo una iluminación específica, cuando se aplica un voltaje de operación específico, la corriente que fluye a través del fototransistor se llama fotocorriente. Cuanto mayor es la fotocorriente, mayor es la fotocorriente. La sensibilidad del triodo es mayor.
7. Tensión de ruptura colector-emisor VCE
En ausencia de luz, cuando la corriente del colector IC es un valor específico, la caída de tensión entre el colector y el emisor se llama es la tensión de ruptura colector-emisor.
8. Tensión máxima de funcionamiento VRM
En ausencia de luz, cuando la corriente del colector Ie es el valor permitido especificado, la caída de tensión entre el colector y el emisor se denomina máxima. tensión de funcionamiento.
9. Potencia máxima PM
La potencia máxima se refiere a la potencia máxima que el fototransistor puede soportar en condiciones específicas.
10. Longitud de onda pico λp
Cuando la respuesta espectral del fototransistor es máxima, la longitud de onda correspondiente se denomina longitud de onda pico.
11. Sensibilidad fotoeléctrica
Cuando la unidad de entrada de la luz incidente de una determinada longitud de onda es potencia óptica, se llama intensidad de la salida de fotocorriente por unidad de área del fototransistor. Sensibilidad fotoeléctrica.
12. Tiempo de respuesta
El tiempo de respuesta se refiere a la velocidad de respuesta del fototransistor a la señal de luz incidente, generalmente 1 X 10-3 --- 1 X 10-7S.
13. Tiempo de conmutación
1. Tiempo de aumento del pulso tτ: el fototransistor ajusta la luz del pulso de entrada en condiciones de trabajo específicas, de modo que el fototransistor emita la corriente de pulso correspondiente al valor especificado. El tiempo necesario para que la amplitud del borde anterior del pulso de salida sea del 10 al 90 %.
2. Tiempo de caída del pulso tt: el tiempo requerido para que la amplitud del borde posterior del pulso de salida sea 90 - 10.
3. Tiempo de retardo del pulso td: El tiempo requerido desde el inicio del pulso de luz de entrada hasta los 10 segundos del flanco anterior del pulso eléctrico de salida.
4. Tiempo de almacenamiento del pulso ts: Cuando finaliza el pulso de luz de entrada, el tiempo necesario para que el pulso eléctrico de salida caiga al 90% de la amplitud del pulso.