Parámetros del transistor 8050
Parámetros básicos del triodo s8050:
Tipo: NPN.
Disipación de potencia del colector Pc: 0,625W (SMD: 0,3W).
Corriente del colector Ic: 0,5A.
Tensión colector-base Vcbo: 40V.
Tensión colector-emisor Vceo: 25V.
Tensión de saturación colector-emisor Vce(sat): 0,6V.
Frecuencia característica f: mínimo 150MHz.
Según el número de sufijo del transistor, se divide en niveles B, C y D, y el chip es de nivel L y H.
Ampliación: B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350.
Orden de disposición de los pines: E, B, C o E, C, B.
S8050 es un tubo de silicio NPN de baja potencia. El voltaje máximo de la base del colector (Vcbo) puede ser de 40 V y la corriente del colector es (Ic) de 0,5 A. S8050 es uno de los modelos de triodo semiconductor más utilizados en el diseño de hardware de circuitos.
Información ampliada
Principio teórico:
Para el tubo NPN, está compuesto por dos semiconductores de tipo N intercalados entre un semiconductor de tipo P. El emisor. área La unión PN formada entre la región base y la región base se llama unión emisora, mientras que la unión PN formada entre la región colectora y la región base se llama unión colectora. Los tres conductores se llaman emisor e (Emisor), base. b (Base) y Colector c (Coleccionista).
Cuando el potencial del punto b es unas décimas de voltio mayor que el potencial del punto e, la unión del emisor está en un estado polarizado directo, y cuando el potencial del punto C es unos pocos voltios mayor que el potencial del punto b, la unión del colector está en un estado de polarización inversa. La fuente de alimentación del electrodo Ec es mayor que la fuente de alimentación de la base Eb.
Debido a la delgada región de la base y la polarización inversa de la unión del colector, la mayoría de los electrones inyectados en la región de la base cruzan la unión del colector y entran en la región del colector para formar la corriente del colector Ic, dejando solo una pequeña cantidad (1-10) Los electrones se recombinan en los huecos del área de la base, y los huecos recombinados en el área de la base son reabastecidos por la fuente de alimentación de la base Eb, formando así la corriente de base Ibo.
Fuente de referencia: Enciclopedia Baidu-S8050
Fuente de referencia: Enciclopedia Baidu-Transistor